IXFN110N60P3 Datenblatt
IXFN110N60P3 Datenblatt
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IXYS
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IXFN110N60P3
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 245nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
