IXFK30N110P Datenblatt
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 960W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 960W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 Paket / Fall TO-247-3 |
