IXFH230N10T Datenblatt
IXFH230N10T Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 165,49 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFH230N10T
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 230A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 650W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
