IXFC14N80P Datenblatt
IXFC14N80P Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFC14N80P
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 770mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™ Paket / Fall ISOPLUS220™ |
