IXFB38N100Q2 Datenblatt
IXFB38N100Q2 Datenblatt
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IXYS
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IXFB38N100Q2
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS264™ Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
