IXBX50N360HV Datenblatt
IXBX50N360HV Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 235,98 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXBX50N360HV
|
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 125A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 420A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A Leistung - max 660W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/205ns Testbedingung 960V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket TO-247PLUS-HV |
