IXBH5N160G Datenblatt
|
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max 68W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max 68W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
