IXBH10N300HV Datenblatt
IXBH10N300HV Datenblatt
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IXYS
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IXBH10N300HV
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 88A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/100ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.6µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 |
