IS61DDP2B42M18A-400M3L Datenblatt
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR IIP Speichergröße 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-LFBGA (15x17) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR IIP Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-LFBGA (15x17) |