IS43LR16640A-5BLI Datenblatt
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10) |