IS41LV16100C-50TI Datenblatt
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.97V ~ 3.63V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.97V ~ 3.63V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
