IS41LV16100C-50KLI-TR Datenblatt
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
