IRG8P50N120KD-EPBF Datenblatt
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/190ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/190ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
