IRFP254NPBF Datenblatt
IRFP254NPBF Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 123,06 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRFP254NPBF
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0001.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0002.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0003.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0004.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0005.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0006.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0007.webp)
![IRFP254NPBF Datenblatt Seite 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/irfp254npbf-0008.webp)
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 220W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |