IRFP044N Datenblatt
IRFP044N Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 110,4 KB
Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRFP044N
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 120W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AC Paket / Fall TO-247-3 |
