IRFBL3703 Datenblatt
IRFBL3703 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRFBL3703
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 260A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 76A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 209nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8250pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SUPER D2-PAK Paket / Fall Super D2-Pak |
