IRFB4233PBF Datenblatt
IRFB4233PBF Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRFB4233PBF
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 230V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5510pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
