IRF7476 Datenblatt
IRF7476 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRF7476
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
