IR1175STR Datenblatt
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SSOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 20-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 20-DIP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SSOP |
