Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt

IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 1.304,7 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IPW60R180P7XKSA1
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 1
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 2
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 3
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 4
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 5
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 6
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 7
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 8
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 9
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 10
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 11
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 12
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 13
IPW60R180P7XKSA1 Datenblatt Seite 14
IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3