Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt

IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 196,53 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IPC60N04S4L06ATMA1
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 1
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 2
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 3
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 4
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 5
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 6
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 7
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 8
IPC60N04S4L06ATMA1 Datenblatt Seite 9
IPC60N04S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-23

Paket / Fall

8-PowerVDFN