IPA50R650CEXKSA2 Datenblatt
IPA50R650CEXKSA2 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IPA50R650CEXKSA2
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 27.2W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
