IMD10AT108 Datenblatt
IMD10AT108 Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IMD10AT108
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms, 100Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SMT6 |
