IDT71P74804S250BQG8 Datenblatt
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
