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HYB18T1G800BF-3S Datenblatt

HYB18T1G800BF-3S Datenblatt
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Qimonda
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: HYB18T1G800BF-3S
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Hersteller

Qimonda

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

68-TFBGA

Lieferantengerätepaket

68-TFBGA (17x10)