HIP2123FRTBZ-T Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 9-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 9-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 9-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 9-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-TDFN (4x4) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-TDFN (4x4) |
