HIP2106AIRZ Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 1.3V, 1.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) -, 4A Eingabetyp - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-DFN (3x3) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 1.3V, 1.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) -, 4A Eingabetyp - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-DFN (3x3) |
