HGTG30N60A4D Datenblatt
HGTG30N60A4D Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTG30N60A4D
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 280µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
