HGTG20N60C3D Datenblatt
HGTG20N60C3D Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTG20N60C3D
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max 164W Schaltenergie 500µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 91nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/151ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
