HGTG12N60B3 Datenblatt
HGTG12N60B3 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTG12N60B3
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 104W Schaltenergie 150µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/150ns Testbedingung 480V, 12A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
