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HGT1S20N36G3VL Datenblatt

HGT1S20N36G3VL Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: HGT1S20N36G3VL
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HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

395V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

28.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/15µs

Testbedingung

300V, 10A, 25Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)