HFA3102B96 Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
