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HD1A3M(0)-T1-AZ Datenblatt

HD1A3M(0)-T1-AZ Datenblatt
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Renesas Electronics America
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HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

HD1

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Widerstand - Basis (R1)

1kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

1kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

2W

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SC-62