HAT2092R-EL-E Datenblatt
HAT2092R-EL-E Datenblatt
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Renesas Electronics America
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HAT2092R-EL-E
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V Leistung - max 3W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
