HAT1069C-EL-E Datenblatt
HAT1069C-EL-E Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 173,77 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HAT1069C-EL-E
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-CMFPAK Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
