GWM160-0055P3 Datenblatt
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IXYS
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GWM160-0055P3
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall ISOPLUS-DIL™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS-DIL™ |
