GSIB640-E3/45 Datenblatt
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 400V Current - Average Rectified (Io) 2.8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GSIB-5S Lieferantengerätepaket GSIB-5S |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 200V Current - Average Rectified (Io) 2.8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GSIB-5S Lieferantengerätepaket GSIB-5S |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 600V Current - Average Rectified (Io) 2.8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GSIB-5S Lieferantengerätepaket GSIB-5S |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 800V Current - Average Rectified (Io) 2.8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GSIB-5S Lieferantengerätepaket GSIB-5S |
