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GC08MPS12-220 Datenblatt

GC08MPS12-220 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: GC08MPS12-220
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GC08MPS12-220

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

43A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

7µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

545pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C