GC02MPS12-220 Datenblatt
GC02MPS12-220 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GC02MPS12-220
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 12A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 127pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
