GBU4D Datenblatt
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 200V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 50V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 400V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 100V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |