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GB02SLT12-214 Datenblatt

GB02SLT12-214 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: GB02SLT12-214
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GB02SLT12-214

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 1A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

131pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C