GB02SHT01-46 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GB02SHT01-46
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 1A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 76pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-46 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 210°C |
