GAP3SLT33-220FP Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GAP3SLT33-220FP
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3300V Current - Average Rectified (Io) 300mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 300mA Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 3300V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
