GA400TD25S Datenblatt
GA400TD25S Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
GA400TD25S
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 1350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Dual INT-A-PAK (3 + 8) Lieferantengerätepaket Dual INT-A-PAK |
