GA35XCP12-247 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GA35XCP12-247
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 35A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A Leistung - max - Schaltenergie 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 800V, 35A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AB |
