G3SBA80-E3/45 Datenblatt
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 800V Current - Average Rectified (Io) 2.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 600V Current - Average Rectified (Io) 2.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 600V Current - Average Rectified (Io) 2.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 200V Current - Average Rectified (Io) 2.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
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