FQE10N20LCTU Datenblatt
FQE10N20LCTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FQE10N20LCTU
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 12.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-126-3 Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 |
