FGP15N60UNDF Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGP15N60UNDF
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 178W Schaltenergie 370µJ (on), 67µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.3ns/54.8ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 82.4ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |