FGL60N100DTU Datenblatt
FGL60N100DTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGL60N100DTU
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 176W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |