FGB7N60UNDF Datenblatt
FGB7N60UNDF Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FGB7N60UNDF
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 7A Leistung - max 83W Schaltenergie 99µJ (on), 104µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.9ns/32.3ns Testbedingung 400V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 32.3ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
